创意电子完成台积电 N2P 工艺 HBM4E IP 设计定案
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创意电子宣布,其采用台积电 N2P 工艺的 HBM4E PHY 与控制器 IP 已完成设计定案,并获客户 AI ASIC 采用。该 IP 支持 16Gbps 数据传输速率及 CoWoS-S/R/L 封装;面向 3D SoIC 架构的 face-up 版本集成了用于垂直传输信号和电源的 TSV 结构。
完整正文暂未获取。
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创意电子宣布,其采用台积电 N2P 工艺的 HBM4E PHY 与控制器 IP 已完成设计定案,并获客户 AI ASIC 采用。该 IP 支持 16Gbps 数据传输速率及 CoWoS-S/R/L 封装;面向 3D SoIC 架构的 face-up 版本集成了用于垂直传输信号和电源的 TSV 结构。
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